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AFT05MS031NR1射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管-型号参数
2023-12-13 781 次浏览 飞弛宏

AFT05MS031NR1射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管-型号参数

技术参数品牌:NXP型号:AFT05MS031NR1封装:NA批号:21+数量:20000制造商:NXP产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管RoHS:是晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 40 V增益:19 dB输出功率:33 W最小工作温度:- 40 ...

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IPC100N04S5L-1R5分立半导体产品晶体管-技术参数
2023-12-13 532 次浏览 飞弛宏

IPC100N04S5L-1R5分立半导体产品晶体管-技术参数

技术参数品牌:Infineon(英飞凌)型号:IPC100N04S5L-1R5封装:TDSON-8批次:21+数量:6000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C最大工作温度:80C最小电源电压:3.5V最大电源电压:8.5V长度:7.1mm宽度:7.4mm高度:1.7mm特点•OptiMOS™ - 用...

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STM32F072C8U6嵌入式微控制器-技术参数
2023-12-13 576 次浏览 飞弛宏

STM32F072C8U6嵌入式微控制器-技术参数

技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STM32F072C8U6批号:21+数量:50000制造商:STMicroelectronics产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS:是系列:STM32F072C8安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:UFQFPN-48核心:ARM Cortex M0程序存储器大小:64...

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IS31FL3218-QFLS2-TR电源管理(PMIC)LED 驱动器-技术参数
2023-12-13 925 次浏览 飞弛宏

IS31FL3218-QFLS2-TR电源管理(PMIC)LED 驱动器-技术参数

技术参数品牌:ISSI型号:IS31FL3218-QFLS2-TR 内存芯片数量:6220RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C最大工作温度:90C最小电源电压:5V最大电源电压:8V长度:1.5mm宽度:5mm高度:2.9mm一般说明:IS31FL3218由18个恒定电流通道组成,每个通道具有独立的P...

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