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| 品牌： | NXP |
| 型号： | AFT05MS031NR1 |
| 封装： | NA |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 20000 |
| 制造商： | NXP |
| 产品种类： | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | - 500 mV, 40 V |
| 增益： | 19 dB |
| 输出功率： | 33 W |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-270-2 |
| 配置： | Single |
| 工作频率： | 136 MHz to 520 MHz |
| 系列： | AFT05MS031N |
| 正向跨导 - 最小值： | 5.8 S |
| 湿度敏感性： | Yes |
| Pd-功率耗散： | 294 W |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 6 V, 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.1 VDC |
| 单位重量： | 529.550 mg |
描述：专为移动双向无线电应用而设计，频率来自136至520兆赫。高增益、坚固性和宽带性能这些器件使它们成为大信号、共源放大器的理想选择在移动无线电设备中的应用。
特点：
宽带-全功率跨频带：
- 136-174兆赫
- 380-450兆赫
- 450-520兆赫
典型应用：
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