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MC33GD3100EKR2单沟道栅极驱动器-型号参数
2023-11-29
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飞弛宏
技术参数
| 品牌： | NXP |
| 型号： | MC33GD3100EKR2 |
| 批号： | 2Y |
| 数量： | 4000 |
| 制造商： | NXP |
| 产品种类： | 门驱动器 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-32 |
| 激励器数量： | 1 Driver |
| 输出电流： | 10 A |
| 电源电压-最大： | 5 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 系列： | MC33GD3100 |
| 资格： | AEC-Q100 |
- MC33GD3100是一款用于IGBT和SiC功率器件的先进单沟道栅极驱动器。集成的Galvanic隔离和低导通电阻驱动晶体管提供高充电和放电电流、低动态饱和电压以及轨对轨栅极电压控制。电流和温度感应可最大限度地减少故障期间IGBT的应力。准确和可配置的欠压锁定（UVLO）提供保护，同时确保足够的栅极驱动电压净空。MC33GD3100可自主管理严重故障，并通过INTB引脚和SPI接口报告故障和状态。它能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。高可靠性系统（ASIL C/D）的设计包括自检、控制和保护功能。它符合汽车应用的严格要求，完全符合AEC-Q100 1级资质。
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