品牌：	IDT
型号：	71V67703S75PFG8
封装：	stock
批号：	21+
数量：	38000
制造商：	Renesas Electronics
产品种类：	静态随机存取存储器
RoHS：	是
存储容量：	9 Mbit
访问时间：	7.5 ns
最大时钟频率：	117 MHz
接口类型：	Parallel
电源电压-最大：	3.465 V
电源电压-最小：	3.135 V
电源电流—最大值：	265 mA
最小工作温度：	0 C
最大工作温度：	+ 70 C
安装风格：	SMD/SMT
封装 / 箱体：	TQFP-100
高度：	1.4 mm
长度：	20 mm
存储类型：	SDR
系列：	71V67703S75
宽度：	14 mm
湿度敏感性：	Yes
零件号别名：	IDT71V67703S75PFG8 71V67703
单位重量：	657 mg

IDT71V67703/7903是高速SRAM，其组织形式为256K x 36/512K x 18。IDT71V67703/7903 SRAM包含写入、数据、地址和控制寄存器。数据输出路径中没有寄存器（流通式体系结构）。内部逻辑允许SRAM基于可以保留到写入周期结束的决定来生成自定时写入。突发模式功能为系统设计者提供了最高级别的性能，因为IDT71V67703/7903可以为呈现给SRAM的单个地址提供四个周期的数据。内部突发地址计数器接受来自处理器的第一个周期地址，启动访问序列。在从同一周期的上升时钟沿开始的时钟到数据访问时间延迟之后，输出数据的第一周期将从阵列流过。如果选择了突发模式操作（ADV=LOW），则在接下来的三个上升时钟沿上，用户将可以获得随后的三个周期的输出数据。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。IDT71V67703/7903 SRAM采用高性能CMOS工艺，封装在JEDEC标准的14mm x 20mm薄塑料四元扁平封装（TQFP）、119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列。