品牌：	Microchip
型号：	MIC44F19YMME
封装：	原厂原封
批号：	23+
数量：	13986
描述：	IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：	无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）：	3（168 小时）
原厂标准交货期：	17 周
详细描述：	低端-栅极驱动器-IC-反相-8-MSOP-EP
数据列表：	MIC44F18, 19, 20;
标准包装：	100
包装：	管件
零件状态：	有源
类别：	集成电路（IC）
产品族：	PMIC - 栅极驱动器
系列：	-
其它名称：	576-1502
驱动配置：	低端
通道类型：	单路
驱动器数：	1
栅极类型：	P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：	4.5V ~ 13.2V
逻辑电压 - VIL，VIH：	1.607V，1.615V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：	6A，6A
输入类型：	反相
上升/下降时间（典型值）：	10ns，10ns
工作温度：	-40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型：	表面贴装型
封装/外壳：	8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：	8-MSOP-EP

MIC44F18、MIC44F19和MIC44F20是高速单MOSFET驱动器，能够吸收和源6A，用于驱动电容性负载。这些MOSFET驱动器的延迟时间小于15ns，上升到1000pF负载的时间为10ns，非常适合在电源应用中驱动大栅极电荷MOSFET。MIC44F18是非反相驱动器，MIC44F19是适用于驱动P沟道MOSFET的反相驱动器，并且MIC44F20是用于N沟道MOSFETs的反相驱动器。MIC44F18/19/20采用专有的BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率，可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压电平在正极电源或接地的25mV范围内摆动。类似的双极性器件只能摆动到电源的1V以内。MIC44F18/19/20的输入电源电压范围为4.5V至12.6V，使该器件适用于在各种电源应用中驱动MOSFET。其他功能包括启用功能、闩锁保护和可编程UVLO功能。MIC44F18/19/20的结温范围为-40°C至+125°C，带外露焊盘ePAD MSOP-8和2 mm x 2 mm DFN-8封装选项