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HIP2100EIBZ

现货
  • 库存: 5418
  • 制造商: Renesas Electronics America Inc
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
  • 飞弛宏电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的HIP2100EIBZ栅极驱动器,现有足量库存。HIP2100EIBZ的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;同时飞弛宏现货为您提供HIP2100EIBZ栅极驱动器数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有栅极驱动器详细使用方法及教程。

制造商零件编号: HIP2100EIBZ
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
制造商: Renesas Electronics America Inc
库存: 5418
系列: -
驱动配置: 半桥
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: N 沟道 MOSFET
电压 - 供电: 9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL,VIH: 4V,7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 2A,2A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 114 V
上升/下降时间(典型值): 10ns,10ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
供应商器件封装: 8-SOIC-EP
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