图像仅供参考,请参阅产品规格书。
| 制造商零件编号: | NJG1812ME4-TE1 |
| 描述: | HIGH POWERDPDT SWITCH GAAS MMIC |
| 制造商: | Nisshinbo Micro Devices Inc. |
| 库存: | 1043 |
| 系列: | - |
| 射频类型: | CDMA,GSM,LTE,UMTS |
| 拓扑: | - |
| 电路: | DPDT |
| 频率范围: | 3GHz |
| 隔离: | 17dB |
| 插损: | 0.45dB |
| 测试频率: | 2.7GHz |
| P1dB: | - |
| IIP3: | - |
| 特性: | 直流隔离 |
| 阻抗: | 50 欧姆 |
| 电压 - 供电: | 2.4V ~ 5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳: | 12-XFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | 2.8W(Ta),53.6W(Tc) |