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MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR

现货
  • 库存: 36096
  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
  • 飞弛宏电子元件现货为您提供Micron Technology Inc.设计生产的MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR存储器,现有足量库存。MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR的封装/规格参数为:432-VFBGA;同时飞弛宏现货为您提供MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR存储器数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有存储器详细使用方法及教程。

制造商零件编号: MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR
描述: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
制造商: Micron Technology Inc.
库存: 36096
系列: -
存储器类型: -
存储器格式: -
技术: -
存储容量: -
存储器接口: -
时钟频率: -
写周期时间 - 字,页: -
访问时间: -
电压 - 供电: -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 432-VFBGA
供应商器件封装: 432-VFBGA(15x15)
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