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IS61NVF25672-6.5B1I

现货
  • 库存: 11967
  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA
  • 飞弛宏电子元件现货为您提供ISSI, Integrated Silicon Solution Inc设计生产的IS61NVF25672-6.5B1I存储器,现有足量库存。IS61NVF25672-6.5B1I的封装/规格参数为:209-BGA;同时飞弛宏现货为您提供IS61NVF25672-6.5B1I存储器数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有存储器详细使用方法及教程。

制造商零件编号: IS61NVF25672-6.5B1I
描述: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
库存: 11967
系列: -
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 同步,SDR
存储容量: 18Mb(256K x 72)
存储器接口: 并联
时钟频率: 133 MHz
写周期时间 - 字,页: -
访问时间: 6.5 ns
电压 - 供电: 2.375V ~ 2.625V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 209-BGA
供应商器件封装: 209-LFBGA(14x22)
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