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70V3569S6DRI

现货
  • 库存: 7680
  • 制造商: Renesas Electronics America Inc
  • IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
  • 飞弛宏电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的70V3569S6DRI存储器,现有足量库存。70V3569S6DRI的封装/规格参数为:208-BFQFP;同时飞弛宏现货为您提供70V3569S6DRI存储器数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有存储器详细使用方法及教程。

制造商零件编号: 70V3569S6DRI
描述: IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
制造商: Renesas Electronics America Inc
库存: 7680
系列: -
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 576Kb(16K x 36)
存储器接口: 并联
时钟频率: -
写周期时间 - 字,页: -
访问时间: 6 ns
电压 - 供电: 3.15V ~ 3.45V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 208-BFQFP
供应商器件封装: 208-PQFP(28x28)
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