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MSM5118165F-60T3K-MT

现货
  • 库存: 25035
  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
  • 飞弛宏电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的MSM5118165F-60T3K-MT存储器,现有足量库存。MSM5118165F-60T3K-MT的封装/规格参数为:50-TSOP(0.400",10.16mm 宽);同时飞弛宏现货为您提供MSM5118165F-60T3K-MT存储器数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有存储器详细使用方法及教程。

制造商零件编号: MSM5118165F-60T3K-MT
描述: IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
制造商: Rohm Semiconductor
库存: 25035
系列: -
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: DRAM
存储容量: 16Mb(1M x 16)
存储器接口: 并联
时钟频率: -
写周期时间 - 字,页: -
访问时间: 30 ns
电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V
工作温度: 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 50-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装: 50-TSOP II
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