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TH58BYG3S0HBAI6

现货
  • 库存: 31880
  • 制造商: Kioxia America, Inc.
  • IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
  • 飞弛宏电子元件现货为您提供Kioxia America, Inc.设计生产的TH58BYG3S0HBAI6存储器,现有足量库存。TH58BYG3S0HBAI6的封装/规格参数为:67-VFBGA;同时飞弛宏现货为您提供TH58BYG3S0HBAI6存储器数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有存储器详细使用方法及教程。

制造商零件编号: TH58BYG3S0HBAI6
描述: IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
制造商: Kioxia America, Inc.
库存: 31880
系列: Benand™
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NAND(SLC)
存储容量: 8Gb(1G x 8)
存储器接口: -
时钟频率: -
写周期时间 - 字,页: 25ns
访问时间: -
电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 67-VFBGA
供应商器件封装: 67-VFBGA(6.5x8)
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