• 全球电子元器件网上采购平台
24小时在线客服
24小时热线电话

添加微信咨询

图像仅供参考,请参阅产品规格书。

HYB25D512800CE-5

现货
  • 库存: 37109
  • 制造商: Qimonda
  • IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
  • 飞弛宏电子元件现货为您提供Qimonda设计生产的HYB25D512800CE-5存储器,现有足量库存。HYB25D512800CE-5的封装/规格参数为:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm);同时飞弛宏现货为您提供HYB25D512800CE-5存储器数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有存储器详细使用方法及教程。

制造商零件编号: HYB25D512800CE-5
描述: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
制造商: Qimonda
库存: 37109
系列: -
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: SDRAM - DDR
存储容量: 512Mb(64M x 8)
存储器接口: 并联
时钟频率: 200 MHz
写周期时间 - 字,页: -
访问时间: -
电压 - 供电: 2.3V ~ 2.7V
工作温度: 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm)
供应商器件封装: 66-TSOP II
相关推荐
猜您喜欢