图像仅供参考,请参阅产品规格书。
| 制造商零件编号: | MT53D512M16D1DS-046 AIT:D |
| 描述: | IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
| 制造商: | Micron Technology Inc. |
| 库存: | 1050 |
| 系列: | Automotive, AEC-Q100 |
| 存储器类型: | 易失 |
| 存储器格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 存储容量: | 8Gb(512M x 16) |
| 存储器接口: | - |
| 时钟频率: | 2.133 GHz |
| 写周期时间 - 字,页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 供电: | 1.1V |
| 工作温度: | -40°C ~ 95°C(TC) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 200-WFBGA |
| 供应商器件封装: | 200-WFBGA(10x14.5) |