说明DS1210非易失性控制器芯片是一种CMOS电路，它解决了将CMOS RAM转换为非易失存储器的应用问题。监测输入电源是否存在超差情况。当检测到这种情况时，禁止芯片启用以实现写保护，并打开电池为RAM提供不间断电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，在极低的电池消耗下提供精确的电压检测。8引脚DIP封装将PC板的不动产要求降至最低。通过将S1210非易失性控制器芯片与CMOS存储器和电池相结合，可以实现非易失RAM操作。