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| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IPD50N04S4-10 |
| 封装： | TO252-3 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 9.3 mOhms |
| 配置： | Single |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 系列： | OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 零件号别名： | IPD50N04S410ATMA1 SP000711466 IPD5N4S41XT IPD50N04S410ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
特征
•N通道-增强模式
•AEC合格
•MSL1最高260°C峰值回流
•175°C工作温度
•绿色产品（符合RoHS标准）
•100%雪崩测试
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