品牌：	INFINEON
型号：	IRLR9343TRPBF
封装：	TO-252
批号：	15+
数量：	2000
类别：	分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商：	Infineon Technologies
系列：	HEXFET®
FET 类型：	P 通道
漏源电压（Vdss）：	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：	105 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：	47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：	660 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：	79W（Tc）
工作温度：	-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：	表面贴装型
封装/外壳：	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

这个数字音频HEXFET“专门设计用于D类音频放大器的无源化。该MosFET采用了最新的处理技术，以实现每个硅区域的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以提高D类音频放大器的关键性能因素，如效率、THD和EMl。该MosMOSFET的其他特性为175'CΩ工作结温度和相应的雪崩能力。这些特性结合起来使Mog-E非常有效。适用于D类音频放大器的坚固可靠的设备。